- Úvod do elektroniky
- Elektronika
- Laboratoře pro bakaláře
stdClass Object ( [nazev] => Ústav inženýrství pevných látek [adresa_url] => [api_hash] => [seo_desc] => [jazyk] => [jednojazycny] => [barva] => [indexace] => 1 [obrazek] => [ga_force] => [cookie_force] => [secureredirect] => [google_verification] => UOa3DCAUaJJ2C3MuUhI9eR1T9ZNzenZfHPQN4wupOE8 [ga_account] => UA-10822215-3 [ga_domain] => [ga4_account] => G-VKDBFLKL51 [gtm_id] => [gt_code] => [kontrola_pred] => [omezeni] => [pozadi1] => ti%C5%A1t%C4%9Bn%C3%A9%20spoje_79.jpg [pozadi2] => [pozadi3] => [pozadi4] => [pozadi5] => [robots] => [htmlheaders] => [newurl_domain] => 'ipl.vscht.cz' [newurl_jazyk] => 'cs' [newurl_akce] => '[cs]' [newurl_iduzel] => [newurl_path] => 8548/24136/24137 [newurl_path_link] => Odkaz na newurlCMS [iduzel] => 24137 [platne_od] => 31.10.2023 17:02:00 [zmeneno_cas] => 31.10.2023 17:02:46.955888 [zmeneno_uzivatel_jmeno] => Jan Kříž [canonical_url] => [idvazba] => 30392 [cms_time] => 1711684470 [skupina_www] => Array ( ) [slovnik] => stdClass Object ( [logo_href] => / [logo] => [logo_mobile_href] => / [logo_mobile] => [google_search] => 001523547858480163194:u-cbn29rzve [social_fb_odkaz] => [social_tw_odkaz] => [social_yt_odkaz] => [intranet_odkaz] => http://intranet.vscht.cz/ [intranet_text] => Intranet [mobile_over_nadpis_menu] => Menu [mobile_over_nadpis_search] => Hledání [mobile_over_nadpis_jazyky] => Jazyky [mobile_over_nadpis_login] => Přihlášení [menu_home] => Domovská stránka [paticka_budova_a_nadpis] => BUDOVA A [paticka_budova_a_popis] => Rektorát, oddělení komunikace, pedagogické oddělení, děkanát FCHT, centrum informačních služeb [paticka_budova_b_nadpis] => BUDOVA B [paticka_budova_b_popis] => Věda a výzkum, děkanát FTOP, děkanát FPBT, děkanát FCHI, výpočetní centrum, zahraniční oddělení, kvestor [paticka_budova_c_nadpis] => BUDOVA C [paticka_budova_c_popis] => Dětský koutek Zkumavka, praktický lékař, katedra ekonomiky a managementu, ústav matematiky [paticka_budova_1_nadpis] => NÁRODNÍ TECHNICKÁ KNIHOVNA [paticka_budova_1_popis] => [paticka_budova_2_nadpis] => STUDENTSKÁ KAVÁRNA CARBON [paticka_budova_2_popis] => [paticka_adresa] => VŠCHT Praha
Technická 5
166 28 Praha 6 – Dejvice
IČO: 60461373
DIČ: CZ60461373
Datová schránka: sp4j9ch
Copyright VŠCHT Praha 2014
Za informace odpovídá Oddělení komunikace, technický správce Výpočetní centrum
[paticka_odkaz_mail] => mailto:Ondrej.Hejna@vscht.cz [zobraz_desktop_verzi] => zobrazit plnou verzi [social_fb_title] => [social_tw_title] => [social_yt_title] => [aktualizovano] => Aktualizováno [autor] => Autor [drobecky] => Nacházíte se: VŠCHT Praha – FCHT – Ústav inženýrství pevných látek [paticka_mapa_odkaz] => [zobraz_mobilni_verzi] => zobrazit mobilní verzi [nepodporovany_prohlizec] => Ve Vašem prohlížeči se nemusí vše zobrazit správně. Pro lepší zážitek použijte jiný. [preloader] => Prosím počkejte chvíli... [stahnout] => [social_in_odkaz] => [hledani_nadpis] => hledání [hledani_nenalezeno] => Nenalezeno... [hledani_vyhledat_google] => vyhledat pomocí Google [social_li_odkaz] => ) [poduzel] => stdClass Object ( [24167] => stdClass Object ( [obsah] => [poduzel] => stdClass Object ( [24171] => stdClass Object ( [obsah] => [iduzel] => 24171 [canonical_url] => //ipl.vscht.cz [skupina_www] => Array ( ) [url] => [sablona] => stdClass Object ( [class] => [html] => [css] => [js] => [autonomni] => ) ) [24172] => stdClass Object ( [obsah] => [iduzel] => 24172 [canonical_url] => //ipl.vscht.cz [skupina_www] => Array ( ) [url] => [sablona] => stdClass Object ( [class] => [html] => [css] => [js] => [autonomni] => ) ) [24173] => stdClass Object ( [obsah] => [iduzel] => 24173 [canonical_url] => //ipl.vscht.cz [skupina_www] => Array ( ) [url] => [sablona] => stdClass Object ( [class] => [html] => [css] => [js] => [autonomni] => ) ) ) [iduzel] => 24167 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => [sablona] => stdClass Object ( [class] => [html] => [css] => [js] => [autonomni] => ) ) [24168] => stdClass Object ( [obsah] => [poduzel] => stdClass Object ( [71661] => stdClass Object ( [nazev] => Exkurze Unětický pivovar 2022 [seo_title] => Exkurze Unětický pivovar 2022 [seo_desc] => [autor] => J.Leitner [autor_email] => [obsah] => [urlnadstranka] => [ogobrazek] => [pozadi] => [iduzel] => 71661 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => /[cs]/71661 [sablona] => stdClass Object ( [class] => stranka [html] => [css] => [js] => [autonomni] => 1 ) ) [24184] => stdClass Object ( [nazev] => Aktuality [seo_title] => Ústav inženýrství pevných látek [seo_desc] => [autor] => [autor_email] => [obsah] =>Kudy k nám
Důležité termíny
Organizace letního semestru akademického roku 2023/2024
Letní semestr
Výuka: 12. 2. - 17. 5. 2024
Zkouškové období: 20. 5. - 28. 6. 2024
26. 8. - 30. 8. 2024
Státní svátky: 29. 3. 2024 pátek (Velký pátek)
1. 4. 2024 pondělí (Velikonoční pondělí)
1. 5. 2024 středa (Svátek práce)
8. 5. 2024 středa (Den vítězství)
Změna výuky: úterý 7. 5. 2024 - výuka dle středečního rozvrhu
Promoce absolventů magisterského studia 24., 25., 26. 6. 2024
Bc. studium:
Kontrola splněných studijních povinnosti I. termín 11. 6. 2024
Kontrola splněných studijních povinnosti II. termín 15. 7. 2024
Odevzdání bakalářské práce I. termín 7. 6. 2024
Odevzdání bakalářské práce II. termín 9. 7. 2024
I. termín konání SZZ 17. 6. - 27. 6. 2024
II. termín konání SZZ 26. 8. - 6. 9. 2024
Mgr. studium:
Kontrola splněných studijních povinností 17. 5. 2024
Odevzdání diplomové práce 13. 5. 2024
Termín konání SZZ 3. 6. - 13. 6. 2024
Studentská vědecká konference (SVK) 2023
Konference, na které studenti bakalářských a magisterských programů prezentují výsledky svých výzkumných prací před odbornou komisí formou krátké přednášky.
Termín konání: čtvrtek 23.11.2023
Uzávěrka přihlášek: 30.10.2023
Uzávěrka nahrávání anotací: 10.11.2023
Sekce Materiálové inženýrství: konání ve čtvrtek 23.11.2023 v 9:00, místnost B 360.
Výsledky soutěže
1. Tereza Jílková - Příprava a charakterizace N-dopovaných uhlíkových nanostruktur dekorovaných kovovými nanočásticemi pro katalytické aplikace
2. Andrea Tošovská - Chirální plazmon-aktivní nanostruktury pro enantioselektivní detekci léčiv na základě SERS
3. Jonáš Priškin - Solvent casting COC: povrchové a tepelné úpravy a charakterizace
Fotogalerie zde
exkurze 2022
|
Exkurze studentů: Safina / Eli Beamlines / UJP / Unětický pivovar |
24.05.2019
|
Exkurze studentů v Unětickém pivovaru
Další fotografie z velmi vydařené akce naleznete zde. |
10.05.2019 |
Exkurze studentů v Eli Beamlines v Břežanech
Další fotografie z ekzkurze naleznete zde. Fotografie pořídila a laskavě poskytla Hana Strnadová. |
31.05.2018 |
Již tradičně vedla poslední exkurze našich studentů do pivovaru Unětice, kde proběhla (nejen) senzorická analýza produktů místní technologie.
Další fotografie z letošních exkurzí neleznete v Exkurze 2018. |
26.05.2017 |
Závěrečnou exkurzí byl tradičně oblíbený pivovar Unětice, kde probíhala senzorická analýza produktů místní technologie.
Další fotografie z letošních exkurzí najdete v galerii: Exkurze 2017 |
13.03.2017 |
Výnos š. 30/01/17V letním semestru ak. roku 2016/2017 odpadá 3x pondělní výuka (17.4., 1.5. a 8.5.). Z tohoto důvodu bude ve čtvrtek 20. dubna pondělní rozvrh. prof. Ing. Karel Melzoch |
28.11.2016 |
Umístění soutěžících SVK 2016 naleznete na: Studium/SVK
Blahopřejeme všem výhercům i zúčastněným a těšíme se opět za rok. Fotografie z SVK naleznete v sekci: O ústavu / Fotogalerie |
21.11.2016 |
STUDENTSKÁ VĚDECKÁ KONFERENCE 2016
Termín přihlášení na SVK2016: emailem nejpozději do 20.10.2016 (doc. Slepička) Dodání anotace (abstraktu) do 8.11.2016, šablonu obdržíte emailem. |
24.06.2016 |
Zaměstanci Ústavu inženýrství pevných látek přejí všem svým studentům klidné prázdniny plné relaxace a odpočinku pro načerpání nových sil k dalšímu studiu. Těšíme se na vás v akademickém roce 2016/2017. |
13.05.2016 |
Exkurze do pivovaru v Úněticích a objev neznámého BeeriaFotodokumentaci naleznete v galerii: Exkurze Únětice |
29.04.2016 |
Exkurze - pro obory Materiály pro elektroniku a NanomateriályÚstav fotoniky a elektroniky AV ČR
(více informací na nástěnce ústavu) |
15.02.2016 |
Začal letní semestr |
20.11.2015 |
Umístění soutěžících SVK 2015 naleznete na: Studium/SVKJménem všech pracovníků Ústavu inženýrství pevných látek vám k vašemu úspěchu gratulujeme. Fotografie z SVK jsou k dispozici: O ústavu / Fotogalerie |
,
[urlnadstranka] => [ogobrazek] => [pozadi] => [iduzel] => 24184 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => /home [sablona] => stdClass Object ( [class] => stranka [html] => [css] => [js] => [autonomni] => 1 ) ) [24243] => stdClass Object ( [nazev] => O ústavu [seo_title] => O ústavu [seo_desc] => [autor] => [autor_email] => [obsah] =>Výuka v oboru Materiálové inženýrství na VŠCHT v Praze navazuje na široký chemický základ, který je dále doplněn o základní teoretické poznatky z oblasti nauky o materiálu (fyzika a chemie pevných látek, termodynamika materiálů) a materiálového inženýrství (fázové a chemické rovnováhy, přenosové jevy). Studenti se seznámí s různými materiály, jejich strukturou, vlastnostmi, metodami jejich charakterizace a základními procesy jejich přípravy a zpracování. Studovány jsou materiály kovové, anorganické nekovové, organické polymerní i kompozitní užívané jak pro svoje mechanické vlastnosti (konstrukční aplikace, strojírenství), tak pro vlastnosti elektrické, optické či magnetické (aplikace v mikro a optoelektronice) i materiály vhodné pro bioaplikace.
- Bakalářské
- Magisterské
- Doktorské
- Okruhy SZZ
- Studijní materiály
- Témata závěrečných prací
- Specializace Nanomateriály a materiály pro elektroniku - doporučený studijní plán
prof. Ing. Jindřich Leitner, DrSc.
- Termodynamické vlastnosti směsných oxidů a rovnováhy v oxidických systémech
Nitridy prvků III. podskupiny pro aplikace v elektronice a optoelektronice
prof. Ing. Petr Slepička, PhD.
- Nanostrukturování pevnolátkových substrátů pomocí plazmatu a excimerového laseru, interakce s kovovými nanostrukturami, mikroskopie atomárních sil
prof. Ing. Václav Švorčík, DrSc.
- Elektrické a dielektrické vlastnosti polymerních filmů
prof. Ing. Jakub Siegel, Ph.D.
- Studium fyzikálně-chemických vlastností kovových nanostruktur
doc. Mgr. Oleksiy Lyutakov, PhD.
- Výzkumná a vědecká činnost je zaměřena na problematiku technologie přípravy pasivních i aktivních prvků a struktur integrované optiky (polovodičové lasery, optické vlnovody, optické senzory)
Ing. Ondřej Kvítek, Ph.D.
- Nanostruktury vzácných kovů pro citlivé vrstvy chemických plynových snezorů
- Využití derivátů celulózy v syntéze kovových nanočástic
- Bakteriální celulóza pro materiály využitelné v tkáňovém inženýrství (Ing. Anna Kutová)
Ing. Alena Řezníčková, Ph.D.
- Příprava kovových nanočástic katodovým naprašováním do polyethylenglykolů a jejich charakterizace
- Roubování kovových nanočástic na pevnolátkové substráty
- Příprava a charakterizace tenkých vrstev a nanostruktur se specifickými magnetickými vlastnostmi
- Charakterizace vlastností nanostruktur vytvořených na pevnolátkových substrátech pomocí plazmatu, roubování nanočástic a naprašování (smáčivost, morfologie, chemie povrchu a optické, elektrické a mechanické vlastnosti)
- Studium biologických účinků nanočástic, tenkých kovových vrstev a nanočástic ukotvených na vybrané substráty (tj. účinky antibakteriální, antivirové, antifungální, imunitní a cytotoxické)
Ing. Nikola Slepičková Kasálková, Ph.D.
- Příprava hydrogelů pro použití v medicíně a tkáňovém inženýrství
- Příprava biostabilních i biodegradovatelných substrátů pro cévní tkáňové inženýrství
- Povrchová (plazma, laser, depozice tenkých vrstev, depozice z lázně) i objemová (dotování) modifikace převážně polymerních substrátů za účelem zlepšení jejich biokompatibility
- Příprava unikátních uhlíkových nanostruktur s jedinečnými vlastnostmi
- Studium biokompatibility, cytokompatibility a antibakteriálních vlastností pevných látek
Vedoucí ústavu
Tajemník
Sekretariát
Nemáte přístup k obsahu stránky.
Zkontrolujte, zda jste v síti VŠCHT Praha, nebo se přihlaste (v pravém horním rohu stránek).
[urlnadstranka] => [iduzel] => 10947 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => /[error403] [sablona] => stdClass Object ( [class] => stranka_ikona [html] => [css] => [js] => [autonomni] => 1 ) ) [1485] => stdClass Object ( [nazev] => Stránka nenalezena [seo_title] => Stránka nenalezena (chyba 404) [seo_desc] => Chyba 404 [autor] => [autor_email] => [obsah] =>Chyba 404
Požadovaná stránka se na webu (již) nenachází. Kontaktuje prosím webmastera a upozorněte jej na chybu.
Pokud jste změnili jazyk stránek, je možné, že požadovaná stránka v překladu neexistuje. Pro pokračování prosím klikněte na home.
Děkujeme!
[urlnadstranka] => [ogobrazek] => [pozadi] => [iduzel] => 1485 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => /[error404] [sablona] => stdClass Object ( [class] => stranka [html] => [css] => [js] => [autonomni] => 1 ) ) ) [iduzel] => 24168 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => [sablona] => stdClass Object ( [class] => [html] => [css] => [js] => [autonomni] => ) ) [519] => stdClass Object ( [nadpis] => [data] => [poduzel] => stdClass Object ( [61411] => stdClass Object ( [nadpis] => [apiurl] => https://studuj-api.cis.vscht.cz/cms/?weburl=/sis [urlwildcard] => cis-path [iduzel] => 61411 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => /sis [sablona] => stdClass Object ( [class] => api_html [html] => [css] => [js] => [autonomni] => 1 ) ) ) [iduzel] => 519 [canonical_url] => [skupina_www] => Array ( ) [url] => [sablona] => stdClass Object ( [class] => [html] => [css] => [js] => [autonomni] => ) ) ) [sablona] => stdClass Object ( [class] => web [html] => [css] => [js] => [autonomni] => 1 ) [api_suffix] => )DATA
stdClass Object ( [nazev] => doc. Ing. Petr Macháč, CSc. [seo_title] => Petr Macháč [seo_desc] => [autor] => [autor_email] => [obsah] =>
[submenuno] => [urlnadstranka] => [ogobrazek] => [pozadi] => [newurl_domain] => 'ipl.vscht.cz' [newurl_jazyk] => 'cs' [newurl_akce] => '/o-ustavu/zamestnanci/machac' [newurl_iduzel] => 24329 [newurl_path] => 8548/24136/24137/24168/24243/24299/24329 [newurl_path_link] => Odkaz na newurlCMS [iduzel] => 24329 [platne_od] => 03.03.2016 00:44:00 [zmeneno_cas] => 03.03.2016 00:44:28.986688 [zmeneno_uzivatel_jmeno] => [canonical_url] => //ipl.vscht.cz/o-ustavu/zamestnanci/machac [idvazba] => 30634 [cms_time] => 1711687483 [skupina_www] => Array ( ) [slovnik] => Array ( ) [poduzel] => stdClass Object ( [24361] => stdClass Object ( [nazev] => Vyučované předměty [barva_pozadi] => cervena [uslideru] => false [text] =>
Ing.
Sdělovací elektrotechnika FEL ČVUT 1981 CSc. Radioelektronika FEL ČVUT 1985 Doc. Elektronika FEL ČVUT 1992
Věděcko-výzkumná činnost
Modifikace vlastností tenkých kovových vrstev na polovodičích se zaměřením na ohmické kontakty
spolupráce: V. Myslík, J. Náhlík, M. Vrňata (PGS), J. Zlámal (PGS), B. Barda (PGS), S. Cichoň (PGS)
Kovové vrstvy a obecně složitější metalické systémy na polovodičích vytvářejí kontakt kov-polovodič, který může mít obecně charakter ohmického či Schottkyho přechodu. V rámci vědeckovýzkumné činnosti jsou řešeny oba případy. Jedná se především o struktury na GaAs, SiC, ale i na další polovodičové materiály jako InP. Tyto polovodiče jsou velmi často využívány v moderní mikrovlnné technice a dále v oblasti optoelektronických součástek a struktur. Ohmické kontakty jsou nedílnou součástí všech polovodičových elektronických struktur, protože zajišťují přívod proudu do těchto struktur a dále vstup a výstup signálů. Z tohoto hlediska je studium ohmických kontaktů velmi aktuální.
V rámci řešené problematiky jsou studována zejména následující témata:
- Obecná problematika různých typů ohmických kontaktů na polovodičích [publikace 2, 7, 9, 21].
- Žíhání kontaktních struktur výkonovým laserem [publikace 4, 5, 6, 10, 11, 14, 15, 16, 17, 18]
- Největší pozornost byla věnována kontaktnímu systému na bázi Pd na GaAs, kdy byl například sledován vliv dopantů na vlastnosti výsledné struktury [publikace 16, 17, 18, 20, 41].
- Jako velmi perspektivní se jeví použití tenkých vrstev některých reaktivních kovů pod vlastní metalizací na GaAs [publikace 22, 23]. Tyto kovy po depozici reagují s přirozenými oxidy GaAs za vzniku vodivé směsi kovů a jejich oxidů. Ze stejného předpokladu vycházela i optimalizace kontaktní metalizace Ni/Ti na SiC [publikace 36, 37].
- Studium vlivu india na parametry PdGe metalizace [publikace 29].
- V současné době je tento výzkum zaměřen především na kontaktní struktury na SiC. V oblasti ohmických kontaktů je řešena optimalizace vlastností různých metalizací včetně snahy o zjištění mechanismů vedoucích k ohmickému chování struktur v procesu jejích tepelného formování. Jedná se především o metalizace typu Ni, NiSi, NiTi, PtSi a další [publikace 30, 32, 33, 34]. Byl proveden důkaz vlivu krystalicity uhlíku ve strukturách typu Ni, NiSi a Pd na vznik jejich ohmického chování [publikace 37, 39].
- Problematika čištění povrchu polovodičových substrátů před depozicí kontaktní metalizace s cílem dosáhnout co nejlepších elektrických parametrů struktur. Pozornost byla zaměřena na systém Pd/Ge/GaAs [publikace 20] a dále na strukturu Ni/SiC [publikace 40].
- Řešení problematiky přípravy VLS epitaxních vrstev na SiC s cílem využít je pro podkontaktní vrstvy ohmických metalizací. Tento originální přístup vede ke snížení kontaktní resistivity kontaktní struktury [publikace 38].
- Řešení problematiky tzv. sekundárních kontaktů na SiC. Princip tvorby těchto kontaktních struktur je následující: na SiC se připraví primární kontaktní struktura běžným způsobem (depozice a žíhání), vzniklá metalizace se odleptá a provede se napaření sekundárního kontaktu (např. Ni), který si bez nutnosti vysokoteplotního žíhání zachovává parametry primárního kontaktu [publikace 42].
Příprava jednoduchých struktur elektroniky a mikroelektroniky
spolupráce: V. Jeníček (dipl. práce), M. Žilka (dipl. práce), H. Šimůnková (PGS), M. Orna (dipl. práce)
Technologické vybavení Ústavu inženýrství pevných látek (jednoduchý litograf a depoziční aparatury – viz. fotografie) bylo využito pro přípravu jednoduchých elektronických prvků využitelných v různých oblastech průmyslu.
V rámci řešené problematiky jsou sledována zejména následující témata:
- Po zvládnutí přípravy kvalitních Schottkyho kontaktů a ohmických kontaktů s nízkým kontaktním odporem bylo přistoupeno k aplikaci těchto struktur. Jako vhodná aplikační oblast byla vybrána problematika vysokofrekvenčních Schottkyho diod na GaAs. V rámci experimentů byla připravena struktura s mezním kmitočtem 50 GHz [publikace 24]. Struktura vzorku diody je na přiložené fotografii.
- Ukázkou využití tenkovrstvé technologie na ústavu je příprava bolometrů - detektorů Roentgenova záření v oblasti do 5-10 keV [publikace 27]. Princip bolometru spočívá v absorpci záření zlatou vrstvou a detekcí změny teploty vrstvy tenkovrstvý kovovým rezistorem. Ukázka struktury bolometru je na fotografii.
- Další aplikací ohmických a Schottkyko kontaktů je realizace uv detektorů záření na bázi SiC. Tato problematika byla řešena v rámci bakalářské práce a pokračovala v rámci diplomové práce [publikace 43].
Příprava grafenových vrstev na SiC
spolupráce: S. Cichoň (PGS)
Grafen je v ideálním stavu 2D formou uhlíku se šesterečnou krystalografickou strukturou. Jedná se o velmi perspektivní materiál, který má pro své velmi zajímavé vlastnosti mnoho možných aplikací v nanotechnologiích, mikroelektronice a jinde. Na Ústavu inženýrství pevných látek je problematika grafenu řešena v rámci grantu GAČR č. P108/11/0894. Ukázka grafenové vrstvy na SiC substrátu je na fotografii.
V rámci řešené problematiky jsou sledována zejména následující témata:
- Epitaxní růst grafenových vrstev na SiC v důsledku jeho rozkladu za vysokých teplot (1400 - 1700 °C) ve vakuu nebo v argonové
Vybrané publikace
1993-2011 Cichoň S., Barda B., Macháč P.: Ni and Ni silicide ohmic contacts on N-type 6H-SiC with medium and low doping level. Radioengineering, 20 (2011), 209-213. Macháč: Application of palladium in ohmic contacts to GaAs, in Palladium: Compounds, Production and Application, editor K.M. Brady, Series: Material Science and Technologies, Nova Publishers 2011, pp 193-223. Cichoň S., Macháč P., Barda B., Sofer Z.: Influence of different SiC surface treatments performed prior to Ni ohmic contacts preparation. Microelectronic Engineering, 88 (2011), 553-556 Barda B., Macháč P., Cichoň S., Kudrnová M.: Thermal degradation of Ni-based Schottky contacts on 6H-SiC. Applied Surface Science, 257 (2011), 4418-4421. Macháč P., Barda B.: Improvement of Ni/Si/4H-SiC ohmic contacts by VLS grown sub-contact layer. Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2499-2503. Barda B., Macháč P., Cichoň S., Machovič V., Kudrnová M., Michalcová A. J. Siegel: Origin of ohmic behavior in Ni, Ni2Si and Pd contacts on n-type SiC. Applied Surface Science, 257 (2011), 4418-4421 Macháč P., Barda B., Kudrnová M.: Role of titanium in Ti/Ni ohmic contact on N-tape 6H-SiC. Microelectronic Engineering, 87 (2010), 274-277. Novotný P., Macháč P., Sajdl P.: Diagnostic of austenitic steel by coercivity mapping. NDT&E International, 41 (2008), 530-533. Barda B., Macháč P., Hubičková M.: Ti and Ti/Sb ohmic contacts on n-type 6H-SiC. Microelectronic Engineering 85 (2008), 2022-2024. Macháč P., Barda B., Hubičková M.: Sputtering of Ni/Ti/SiC ohmic contacts. Microelectronic Engineering 85 (2008), 2016-2018. Barda B., Macháč P., Hubičková M., Náhlík J.: Comparison of Ni/Ti and Ni ohmic contacts on n-type 6H-SiC. J. of Material Science: Materials in Electronics 19 (2008), 1039-1044. Vojtěch D., Novák P., Macháč P., Morťaniková M., Jurek K.: Surface protection of titanium by Ti5Si3 silicide layer prepared by combination of vapour phase siliconizing and heat treatment, Journal of Alloys and Compounds 464 (2008), 179-184. Macháč P., Barda B., Maixner J.: Structural characterization of nickel-titanium film on silicon carbide. Applied Surface Science 254 (2008), 1691-1693. Macháč P., Sajdl P., Machovič V.: Improvement of Ge/Pd/GaAs ohmic contact by In layer. Journal of Material Science: Materials in Electronics 18 (2007), 621-625. Novotný P., Macháč P., Kučera M., Nitch K., Skrbek B.: Diagnosis of austenitic steel vavels with the magneto-optical method. NDT&E International, 40 (2007), 203-207. Macháč P., Ryc. L.: Metal resistor bolometer on GaAs substrate. Photonics, Device, and Systems III, V6181 (2005), 26-29. Novotný P., Saidl P., Macháč P.: A magneto-optic imager for NDT applications. NDT&E International, 37 (2004), 645-649. Macháč P., Machovič V.: Raman spectroscopy of Ge/Pd/GaAs contacts. Microelectronic Eng. 71 (2004), 177-181. Macháč P., Žilka M., Výborný Z., Pt/GaAs side wall Schottky diode, 11th European Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS2003, Munich 2003,Garnamy, Procedings pp 129-131. Zlámal J., Myslík V., Macháč P.: The influence of Ti Surface layer on Pt/(Ge or Sn)/Pd/Ti-GaAs Interface. Solid State Phenomena. V90-91 (2003), 601-606. Macháč P., Peřina V.: Role of reactive metal in Ge/Pd/GaAs contact structures. Microelectronic Engineering 65 (2003), 335-343. Macháč P., Peřina V.: Thermal stability of AuPt/n--GaAs Schottky contacts. J. Mat. Science: Materials in Electronics, 13 (2002), 273-275. Macháč P., Peřina V.: The influence of surface cleaning on the stability of Pd/GaAs contacts. J. Material Science: Material in Electronics, 12, (2001), 649 - 653. Ratajová E., Macháč P., Myslík V.: The ohmic contacts on the layers for gas sensors. IEEE Catalog Number: 00EX386, (2000), 379-382. Macháč P., Myslík V., Náhlík J.: The thermal stability of laser annealed contacts based on palladium. Microelectronic Engineering, V54 (2000), 255-261. Zlámal J., Macháč P. a Myslík V.: Comparison of laser technology and RTA on Pt/Sn/Pd ohmic contacts to GaAs. Proceedings of SPIE, 4016 (2000), 326-330. Macháč P., Myslík V. a Zlámal J.: Laser technology in the preparation of Pt/doping element/Pd/n+-GaAs contacts. Proceedings of SPIE, 4016 (2000), 265-268. Macháč P., Myslík V. a Vrňata M.: The Thickness of the Subcontact Modified Layer of Laser Annealed WInGe Contacts to GaAs. Laser Physics, 8 (1998), 344-348. Hudec L., Macháč P., Myslík V. a Vrňata M.: Laser technology to Contacts Formations of III-V Semiconductors for Measuring Use. Laser Physics, 8 (1998), 340-343. Lančok J., Jelínek M., Bulíř J. a Macháč P.: Creation of Channels into Ti:Sapphire Waveguiding Layers. R. Kossowsky et al. (eds.), Optical Resonators - Science and Engineering, 435-439, 1998 Kluwer Academic Publishers. Lančok J., Jelínek M., Bulíř J a Macháč P.: Study of the Fabrication of the Channel Waveguide in Ti:Sapphire Layers. Laser Physics, 8 (1998), 1-4. Vrňata M., Myslík V. a Macháč P.: Laser annealed deep contacts for layered structures. J. Material Science: Material in Electronics, 8 (1997), č. 2, 95-98. Macháč P., Myslík V. a Vrňata M.: Comparison of alloying methods in preparation of Ge/Au/Ni contacts on n+-GaAs. J. Electrical Engineering, 47 (1996), No. 1, 22-24. Macháč P., Myslík V. a Vrňata M.: Ohmic contacts for optoelectronics structures. EOS - Annual Meetings Digest Series: 2A (1995), 369-372. Macháč P., Navrátil L. a Braun I.: Small-power lasers in non-invasive laser-therapy. EOS - Annual Meetings Digest Series: 2A (1995), 433-436. Macháč P. a Náhlík J.: Preparation of p-type GaAs layers for ohmic contact. J. Material Science: Material in Electronics, 6 (1995), 115-117. Macháč P., Myslík V. a Vrňata M.: Laser-annealed deep ohmic contacts. SPIE - Proceedings ALT'94 International Conference, 2498 (1995), 88-95. Hudec L., Macháč P. a Myslík V.: Laser technology in ohmic contact preparation. J. Electrical Engineering, 46 (1995), No. 1, 25-28. Macháč P., Myslík V. a Vrňata M.: Laser annealed W/Sn contacts on N-type GaAs. Electronics Letters, 30 (1994), No. 14, 1185-1187. Metal M., Myslík V a Macháč P.: Polyimide thin films as original antireflection coatings in optoelectronic applications. J. Electrical Engineering, 45 (1994), No. 7, 245-248. Hudec L. a Macháč P.: Edge effects on contact resistance measured by Transmission Line Model Method. J. Electrical Engineering, 44 (1993), No 2, 41-43. Macháč P., Merta J. a Pantuček V.: Deep levels in GaAs MESFET. Materials Science Forum, Trans. Tech. Publications, Switzerland, 38-41 (1989), 1439-1441. Spolupráce při řešení projektů
S tuzemskými pracovišti
- V. Jurka, Fyzikální ústav AVČR, Cukrovarnická 8, Praha 6
- J. Voves, FEL ČVUT, Technická 2, Praha 6
Se zehraničními pracovišti
- N.I. Kargin, North Caucasus State Technical University, Stavropol, Russian Federation
- L. Ryc, Institute of Plasma Physics and Laser Microfusion, Warsaw, Poland
- Úvod do elektroniky
- Elektronika
- Laboratoře pro bakaláře
Napařovačka UNIVEX 450
Koncentrační profil prvků ve struktuře NiTiSiC
Naprašovačka JURA
Kontaktní struktura NiTiSiC po tepelném formování
VF Schottkyho dioda na GaAs
Struktura bolometru
Detail tenkovrstvé technologie
Grafenová vrstva na SiC